聚天冬氨酸衍生物對碳酸鈣結晶過程的影響及阻垢機理探討
| 論文類型 | 基礎研究 | 發表日期 | 2006-12-01 |
| 來源 | 《工業用水與廢水》2006-06 | ||
| 作者 | 李江華,于萍,陳平,羅運柏 | ||
| 關鍵詞 | 聚天冬氨酸衍生物 電導率 碳酸鈣 阻垢 | ||
| 摘要 | 采用碳酸鈣沉積法和電導率法研究了聚天冬氨酸衍生物阻垢性能及其對碳酸鈣結晶過程的影響。試驗結果表明，在投加量為8mg/L時，聚天冬氨酸衍生物對碳酸鈣的阻垢率就已超過85%；聚天冬氨酸衍生物對碳酸鈣有增溶作用，其對碳酸鈣的抑制作用存在極限濃度，對于含鈣離子和碳酸根離子濃度均為5.81mmol/L的溶液，當聚天冬氨酸衍生物的投加量超過15mg/L后，再增加投加量對碳酸鈣結晶過程的影響變化不明顯；X-衍射分析認為該試劑能使碳酸鈣晶體發生畸變。 | ||
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